FORESEE 推出新一代UFS 3.1旗舰级高速闪存

概述

如今，SD卡逐渐淡出手机存储的舞台，嵌入式存储成为移动终端的存储“主力军”。早期的智能手机闪存标准多数采用eMMC，而近几年，手机通讯从4G过渡到5G时代，eMMC 5.1已经无法完全满足海量数据的吞吐要求，性能方面也难以匹配最新的手机应用程序，这也让不少智能移动终端开始采用UFS作为闪存芯片。

（手机存储迭代）

（上一代手机存储的用户痛点）

更出色的移动性能 让传输变的简单

UFS 3.1作为FORESEE嵌入式存储新一代旗舰级产品，性能和传输延迟都得到了显著优化，写入速度最高可达1200MB/s，是上一代通用闪存存储的近3倍，大幅提高移动终端的工作效率。此外，UFS 3.1能够满足即时启动、快速启动、多任务处理等功能要求，缩短应用加载等待时间，为5G移动设备提速减负。

（FORESEE UFS 3.1）

5G连接之路 畅通无阻

FORESEE UFS 3.1目前可提供128GB、256GB、512GB三种容量选择，满足市场主流需求。产品厚度设计最大可压缩至1.0mm，灵活兼容移动终端的内部空间，该产品广泛应用于智能手机旗舰机型、平板电脑、AR/VR、高速智能摄像、智能汽车和5G物联网等设备。

（FORESEE UFS 3.1）

多功能加入 带来全新体验

根据JEDEC发布的标准，江波龙凭借强大的工程师团队，在UFS 3.1中自主开发了写入增强、低功耗管理、智能温控、主机性能提升器等固件功能，确保闪存芯片发挥性能优势的同时，仍然能够让移动终端保持低功耗恒温运行，以达到性能与功耗的黄金比例，提高移动终端电池续航能力。

写入增强特性会大幅提升FORESEE UFS 3.1应用终端的突发写入性能。原理是UFS 3.1闪存内部有一块高速缓存区，在工作的时候会以较高的速度去接收文件，并且可持续到闪存写入工作减轻的时候再将写入的文件从缓存区转到普通闪存区。

FORESEE UFS 3.1闪存具有优秀的低功耗管理，能够使终端设备快速进入和退出低功耗模式，保证设备低功耗运行的同时，不影响用户使用体验。

当移动终端内部温度过高时，采用FORESEE UFS 3.1闪存的应用终端会主动启动温控功能，避免了因温度过高而导致设备异常或者用户数据丢失。同时也会在设备过热时通知系统限制读写性能，从而降低闪存温度。

HPB功能可用来提升FORESEE UFS3.1应用终端的读取性能。其原理是利用手机RAM来缓解闪存的硬件压力，提升设备读取的性能。