176层NAND增产或搅动存储市场；三星官宣170亿美元投资；SK海力士：继续斡旋EUV入华事宜；日本半导体补助2/3给台积电

业内消息：主要供应商正增加176层3D NAND产量

据DIGITIMES援引消息人士称，美光科技率先将其176层3D NAND闪存制造工艺转向量产，SK海力士紧随其后，在第四季开始量产。三星电子也将在平泽第3工厂（P3）安装新的3D NAND芯片生产线，以提高176层3D NAND芯片产量，届时将拥有4万-5万片的月产能。原厂的这些动作，恐为2022年存储市场的供需增加变量。

该人士认为，明年手机和消费类固态硬盘将越来越多地采用176层3D NAND闪存，到2022年底，整体NAND闪存供应的25%以上将是176层3D NAND闪存芯片，高于2021年第四季度的近5%。

此外，该消息人士指出，自今年第四季度以来，电源管理IC和闪存设备控制器芯片的短缺状况持续改善，鼓励NAND闪存芯片制造商扩大产量。不过消息人士警告称，2022 年上半年 NAND 闪存的供应可能会超过需求。

SK海力士：正积极争取为无锡存储工厂引进EUV光刻机

据韩媒Korea IT News消息，本月22日，韩国半导体工业协会成立30年纪念活动期间，SK海力士CEO Seok-hee Lee（李锡熙）和媒体交流时谈到了无锡海力士半导体工厂相关情况。

关于EUV光刻机进厂可能延期的问题，李锡熙表示，正与美方合作，进展良好。EUV光刻技术已经在韩国本土的DRAM产线上应用，中国工厂还有充足的时间供斡旋沟通。

三星170亿美元晶圆新厂选址敲定得州泰勒市

中芯国际：向大基金二期转让深圳项目尚未出资的5.313亿美元

11月23日晚间，中芯国际公告称，该公司的全资附属公司中芯控股同意向国家集成电路基金II转让中芯控股于深圳合资协议下已认缴但尚未实缴出资的5.313亿美元（占中芯深圳股权的22%），由国家集成电路基金II履行相应的出资义务。

依照计划，中国深圳将开展项目的发展和营运，重点生产28纳米及以上的集成电路和提供技术服务，旨在实现最终每月约40000片12吋晶圆的产能，预期将于2022年开始生产，该项目的新投资额估计为23.5亿美元。

透过其全资附属公司中芯控股及中芯集电，中芯国际间接持有中芯深圳合共77%之股权。在完成11月23日公布的股权转让计划后，中芯国际的持股比例从77%下降至55%。

日本提拨6000亿日元，补助台积电、美光等盖新厂

根据日经报导，日本准备从2021年度追加预算中提拨6000亿日圆，支援先进的半导体制造商，其中4000亿日圆用来补助台积电熊本厂，剩下2000日圆用于补助美光、铠侠等其他供应商设厂。

值得一提的是，自从美光收购日本记忆体大厂尔必达（Elpida）后，已经接管尔必达在广岛拥有先进DRAM晶片的生产基地，并且持续跟日本等各国政府商讨强化生产等投资事宜。

而铠侠在日本拥有先进NAND闪存工厂，目前位于日本三重县四日市的新工厂仍在建设中，最早将于2022年开始运营；该公司还计划明年在岩手县北上市建新厂，最早于2023年运营。

需求改善，美光、西数逆势增长

据台媒《科技新报》消息，美光、西部数据受到瑞穗证券以存储芯片需求改善为由建议买进激励，周二（23 日）股价双双逆大盘跳涨。

瑞穗证券分析师Vijay Rakesh23日发表研究报告指出，最新资料暗示，PC、服务器、手机的「实际需求」正在改善，有望推升2022年Q1、Q2定价，这促使他将美光、西部数据的投资评等同步从「中立」调高至「买进」，目标价则分别从75美元上修至95美元、55美元上修至75美元。